产品介绍
F902低噪声三维磁通门传感器是一款高等级的三维磁通门传感器,噪声等级小于10pT rms/√Hz at 1Hz,它可将磁场强度直接转换成模拟信号(±10V)。典型应用场合为:地磁检测、包裹检测、水下磁场监控、交通监控、剩磁测量、微弱磁场测量、实验室等。
F902低噪声三维磁通门传感器量程可选±70μT和±100μT,频率响应DC-1.6kHz;此外,F902还具有卓越的线性度(<0.005%)和噪声特性(<10pT rms/√Hz at 1Hz),三轴正交性误差小于0.5°。
F902低噪声三维磁通门传感器的封装类型可分为标准封装和潜水级封装,标准封装的防护等级为IP67;而潜水级封装,可支持水下100米工作,非常适用于水下磁场监控测量。
功能特性
低噪声三维磁通门传感器
尺寸小巧(107 x 32 x 32mm)
线性度:<0.005%
三轴正交性误差:<0.5°
供电电源:±12VDC ~ ±16VDC
模拟信号单端输出(±10V)
量程:±70μT 或者 ±100μT
电压输出误差:<±0.5%
噪声等级:<10pT rms/√Hz at 1Hz
频率响应范围:DC- 1.6kHz
标准封装,IP67防护等级
可选潜水级封装(水下100米)
F902三维磁通门传感器参数:
型号 | F902 | ||
性能参数 | |||
轴数 | 3 | ||
量程 | X,Y,Z | ±70μT | ±100μT |
矢量R | 121μT | 173μT | |
电压输出误差 | <±0.5% | ||
噪声等级 | <10pTrms/√Hz at 1Hz | ||
启动时间 | 150ms | ||
预热时间 | 15mins | ||
模拟输出 | ±10V (单端输出) | ||
灵敏度 | 143mV/μT | 100mV/μT | |
温度系数 | <±110ppm/℃ | ||
三轴正交性误差 | <0.5° | ||
线性度 | <0.005%(最小二乘法拟合) | ||
频率响应(-3dB) | DC- 1.6kHz | ||
磁滞 | <2nT (暴露于高达两倍量程的磁场环境) | ||
机械规格 | |||
尺寸(W x H x L) | 32 x 32 x 110mm | ||
重量 | 175g;其他规格取决于封装形式 | ||
电气规格 | |||
电源电压 | ±12VDC ~ ±16VDC | ||
典型功耗 | 0.6W | ||
输出阻抗 | 10Ω | ||
最大负载电容 | >1μF | ||
环境要求 | |||
工作温度 | - 40℃ to +70℃ | ||
储存温度 | - 40℃ to +85℃ | ||
防护等级 | IP67 或者潜水级封装,支持水下100米工作 |
F902三维磁通门传感器的尺寸图和接线端子描述
线缆颜色 | 接线端子 | 描述 |
棕色 | Vx | 模拟信号单端输出 (X轴,±10V) |
红色 | Vy | 模拟信号单端输出 (Y轴,±10V) |
黄色 | Vz | 模拟信号单端输出 (Z轴,±10V) |
绿色 | SIG GND | 信号地 |
蓝色 | PWR GND | 电源地 |
紫色 | V+ | 直流电源输入 (±12VDC至±16VDC) |
白色 | V- |
注:灵敏度等于±10V除以磁通门传感器的量程,具体详见参数表。
三维磁通门传感器选型
F902 | -100 | S |
三维磁通门传感器类型 F902:低噪声三维磁通门传感器 | 传感器量程 -70:70μT/轴 -100:100μT/轴 | 封装类型 缺省: 标准封装(IP67) S:潜水版封装(支持水下100米工作) |
注:
1、型号举例:F902-100S,这是一个低噪声三维磁通门传感器(F902):量程为100μT/轴(100), 潜水版封装(S);
2、三维磁通门传感器的电缆长度默认是1.5m,其他长度可以定制。
可选配件
类型 | 描述 |
PS2015 | 电源适配器 输入100VAC- 240VAC 输出电压:±15VDC,±5% 输出额定电流:0.8A |
FDU101 | 磁通门传感器数据采集单元,用于数字化一个三维磁通门传感器内置±15V电源给磁通门传感器供电,因此只要把磁通门传感器的电源线和信号线接入FDU101,即可通过 RS485 接口输出数字信号。数字电路采用24 bits ADC,采样速率300ksps,磁场分辨率可达0.1nT(1μG)。 |
FDU108 | 磁通门传感器数据采集单元,用于数字化多达16个三维磁通门传感器内置±15V电源给磁通门传感器供电,因此只要把磁通门传感器的电源线和信号线接入FDU108,即可通过 RS485 接口输出数字信号。数字电路采用24 bits ADC,采样速率300ksps,磁场分辨率可达0.1nT(1μG)。 |