产品介绍
用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,还具有蒸镀速率快,电子束定位准确能量密度高,可以避免坩埚材料的污染等特点。
产品特点
由于电子束定位准确能量很高,可蒸发难熔金属或化合物,蒸发速率快;
体积小,操作简便可以非常容易的放置材料和清理;
蒸发材料放置在水冷铜坩埚中,可避免坩埚材料的污染,制备高纯薄膜;
由于蒸发物面积小,因而热辐射损失小,热效率高;
安装条件
本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。
水:设备配有自循环冷却水机,水温小于25℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注纯净水或者去离子水);
电:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波动范围:小于±6%,必须有良好接地(对地电阻小于2Ω);
气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备氮/氩气气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀
场地面积:设备尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上
通风装置:需要(外排废气管道);
技术参数
极限真空度 | ≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后); |
系统真空检漏漏率 | ≤5.0x10-7 Pa.l/S; |
系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,45分钟可达到6.6x10-4 Pa; | |
基片尺寸 | 可放置φ4″基片(带手动挡板); |
基片加热最高温度 | 800℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制; |
基片可连续回转,转速5~60转/分; | |
基片与蒸发源之间距离300~350mm可调; | |
E型电子枪,阳极电压6KV、8KV | |
电子枪坩埚 | 水冷铜坩埚,四穴设计,每个熔炼11ml ; |
电子束功率 | 0-6KW可调; |
产品规格 | 整机尺寸:1800mm×1200mm×2000mm; |
真空腔体
U型真空室尺寸Ф500X600mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;
真空腔体前开门铰链结构,方便取、放样品;
前开门设有两个观察窗接口,可以观察电子枪和基片;
设备预留膜厚仪接口,可选配膜厚仪;
高真空分子泵机组,闸板阀隔断(也可使用高真空挡板阀);
标准配件
电源控制系统1套、真空获得机组1套、真空测量1套、电子枪1套